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Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
150 C
25 C
500
100
10
V GS = 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
1000
100
10
*Notes:
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
o
o
*Notes:
2. T C = 25 C
-55 C
1. 250 μ s Pulse Test
o
o
2
0.02
0.1 1
V DS ,Drain-Source Voltage[V]
10
1
3
4
5 6 7
V GS ,Gate-Source Voltage[V]
8
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
30
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
500
150 C
25 C
25
20
V GS = 10V
100
o
o
15
V GS = 20V
10
*Note: T C = 25 C
10
o
*Notes:
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
5
0
100 200
300
1
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
1.6
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
5000
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
4000
3000
C iss
C oss
*Note:
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
8
6
V DS = 25V
V DS = 50V
V DS = 80V
2000
1000
C rss
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
4
2
*Note: I D = 49A
0
0.1
1 10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
30
0
0
10
20 30 40 50
Q g , Total Gate Charge [nC]
60
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB150N10 Rev. C2
3
www.fairchildsemi.com
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